电子气体是特种气体(指应用于特殊领域，对气体有特殊要求的纯气)的一个重要分支，半导体工业用的气体统称电子气体。
一、电子气体的分类
电子气体按纯度可分为：纯电子气体、高纯电子气体和半导体特殊材料气体；
按规模等级和适用场合分为：电子级、LSI(大规模集成电路)级、VLSI(超大规模集成电路)级、ULSI(特大规模集成电路)级。
二、常用电子气体
外延生长用电子气体：
外延生长是一种单晶材料淀积并生产在衬底表面上的过程，在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫做延外气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀积，多晶硅淀积，氧化硅膜淀积，氮化硅膜淀积，太阳能电池和其他光感器的非晶硅膜积淀等。
蚀刻用电子气体：
蚀刻就是讲基片上无光刻胶掩蔽的加工表面(如金属膜、氧化硅膜)蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，以便在基片表面上获得所有的成像图形。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。蚀刻气体通常多为氟化物气体(卤化物类)，例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。产检蚀刻气体
掺杂用电子气体：
在半导体器件和集成电路制造中，将某些杂质掺入半导体材料内，是材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、PN结、埋层等。掺杂工艺所用的气体成为掺杂气。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合，混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周，在晶片表面沉积上掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徒动进入硅。
化学气相淀积用电子气体：
化学气相淀积混合气体(CVD)是利用挥发性化合物，通过气相化学反应淀积某种单质或化合物的一种方法，即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类，使用的化学气相淀积(CVD)气体也不相同。
离子注入用电子气体：
在半导体器件和集成电路制造中，离子注入工艺所用的气体统称为离子注入气，它是把离子化的杂质(如硼、磷、砷等离子)加速到高能级状态，然后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制阀值电压方面应用得最为广泛。注入的杂质量可以通过测量离子束电流而求得。离子注入气体通常指磷系、砷系和硼系气体。
更新时间：2021-12-20 
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